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Shibaura Institute of Technology ホーム
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Scopus著者プロファイル
石川 博康
教授
機能制御システム専攻
電子工学科
電気電子情報工学専攻
h-index
5851
被引用数
43
h 指数
Pureの文献数とScopusの被引用数に基づいて算出されます
1995
2018
年別の研究成果
概要
フィンガープリント
ネットワーク
研究成果
(182)
類似のプロファイル
(1)
Pureに変更を加えた場合、すぐここに表示されます。
フィンガープリント
Hiroyasu Ishikawaが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
1
類似のプロファイル
Sapphire
Engineering & Materials Science
100%
sapphire
Physics & Astronomy
78%
Metallorganic chemical vapor deposition
Engineering & Materials Science
64%
High electron mobility transistors
Engineering & Materials Science
64%
Substrates
Engineering & Materials Science
56%
high electron mobility transistors
Physics & Astronomy
54%
metalorganic chemical vapor deposition
Physics & Astronomy
52%
Heterojunctions
Engineering & Materials Science
34%
研究成果
年別の研究成果
1995
1998
2001
2003
2004
2018
156
Article
14
Conference article
6
Letter
3
Conference contribution
3
その他
3
Paper
年別の研究成果
年別の研究成果
Formation of coated phosphor layers by rotation-revolution for remote-phosphor LED bulbs and characterization of LED light bulb with super high color rendition
Kondo, H.
&
Ishikawa, H.
,
2018 11月 1
,
In:
IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology.
8
,
11
,
p. 2021-2029
9 p.
, 8408826.
研究成果
:
Article
›
査読
Phosphors
100%
Light emitting diodes
74%
Characterization (materials science)
66%
Color
54%
Coatings
11%
Large-area profile transformation of inkjet-printed PD precursor films by slit-nozzle humidification and redrying for PdO nanofilm field emitters
Kondo, H.
,
Sato, T.
&
Ishikawa, H.
,
2018 7月
,
In:
Journal of Imaging Science and Technology.
62
,
4
, 40501.
研究成果
:
Article
›
査読
Nanofilm
100%
Nozzle
97%
nozzles
77%
slits
77%
Nozzles
72%
Novel inkjet printing system and formation mechanism of PdO nanofilms for field-emission imaging devices
Kondo, H.
,
Sato, T.
,
Yamabe, J.
&
Ishikawa, H.
,
2017 7月 21
,
In:
Journal of Physics D: Applied Physics.
50
,
32
, 325106.
研究成果
:
Article
›
査読
Field emission
100%
Nanofilm
93%
Field Emission
78%
printing
76%
Printing
75%
1
被引用数 (Scopus)
Surface potential and topography measurements of gallium nitride on sapphire by scanning probe microscopy
Uruma, T.
,
Satoh, N.
&
Ishikawa, H.
,
2016
,
In:
IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines.
136
,
4
,
p. 96-101
6 p.
研究成果
:
Article
›
査読
Scanning probe microscopy
100%
Crystal defects
98%
Gallium nitride
85%
Surface potential
84%
Sapphire
82%
1
被引用数 (Scopus)
Reduction of threading dislocations in GaN on in-situ meltback-etched Si substrates
Ishikawa, H.
&
Shimanaka, K.
,
2011 1月 15
,
In:
Journal of Crystal Growth.
315
,
1
,
p. 196-199
4 p.
研究成果
:
Article
›
査読
Threading Dislocation
100%
Substrates
37%
Cathodoluminescence
33%
Metallorganic chemical vapor deposition
27%
Liquid Film
25%
8
被引用数 (Scopus)