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Shibaura Institute of Technology ホーム
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Scopus著者プロファイル
石川 博康
教授
機能制御システム専攻
電気電子情報工学専攻
工学部
h-index
6087
被引用数
43
h 指数
Pureの文献数とScopusの被引用数に基づいて算出されます
1995
2018
年別の研究成果
概要
フィンガープリント
ネットワーク
研究成果
(182)
類似のプロファイル
(1)
フィンガープリント
Hiroyasu Ishikawaが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
1
類似のプロファイル
Sapphire
Material Science
100%
Electron Mobility
Material Science
75%
Transistor
Material Science
69%
Aluminum Nitride
Material Science
44%
Chemical Vapor Deposition
Material Science
34%
Sapphire Substrate
Engineering
31%
Heterojunction
Material Science
31%
Density
Material Science
29%
研究成果
年別の研究成果
1995
1998
2001
2003
2004
2018
156
Article
14
Conference article
6
Letter
3
Conference contribution
3
その他
3
Paper
年別の研究成果
年別の研究成果
Formation of coated phosphor layers by rotation-revolution for remote-phosphor LED bulbs and characterization of LED light bulb with super high color rendition
Kondo, H. &
Ishikawa, H.
,
2018 11月
,
In:
IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology.
8
,
11
,
p. 2021-2029
9 p.
, 8408826.
研究成果
:
Article
›
査読
Pc-LED
100%
Bulb
100%
Remote Phosphor
100%
Color Rendition
100%
Phosphor Layer
100%
Large-area profile transformation of inkjet-printed PD precursor films by slit-nozzle humidification and redrying for PdO nanofilm field emitters
Kondo, H., Sato, T. &
Ishikawa, H.
,
2018 7月
,
In:
Journal of Imaging Science and Technology.
62
,
4
, 40501.
研究成果
:
Article
›
査読
Field Emitter
100%
Profile Transformation
100%
Redrying
100%
Slit Nozzle
100%
Area Substrate
100%
Novel inkjet printing system and formation mechanism of PdO nanofilms for field-emission imaging devices
Kondo, H., Sato, T., Yamabe, J. &
Ishikawa, H.
,
2017 7月 21
,
In:
Journal of Physics D: Applied Physics.
50
,
32
, 325106.
研究成果
:
Article
›
査読
Inkjet Printing System
100%
System Mechanisms
100%
Emission Imaging
100%
Pd Precursor
66%
Ink Droplet
66%
1
被引用数 (Scopus)
Surface potential and topography measurements of gallium nitride on sapphire by scanning probe microscopy
Uruma, T., Satoh, N. &
Ishikawa, H.
,
2016
,
In:
IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines.
136
,
4
,
p. 96-101
6 p.
研究成果
:
Article
›
査読
Surface Topography Measurement
100%
Sapphire
100%
Gallium Nitride
100%
Surface Topography
100%
N-face
66%
1
被引用数 (Scopus)
Reduction of threading dislocations in GaN on in-situ meltback-etched Si substrates
Ishikawa, H.
& Shimanaka, K.,
2011 1月 15
,
In:
Journal of Crystal Growth.
315
,
1
,
p. 196-199
4 p.
研究成果
:
Article
›
査読
Threading Dislocation
100%
Film
100%
Metalorganic Chemical Vapor Deposition
100%
Cathodoluminescence
100%
Density Region
33%
9
被引用数 (Scopus)