| 本文言語 | English |
|---|---|
| ページ（範囲） | 505-509 |
| ジャーナル | IEEE International Electron Device Meeting |
| 出版ステータス | Published - 1993 1月 1 |
A Flux-Based Approach to HBT Device Modeling.
S.Tanaka S.Tanaka, M.S.Lundstrom M.S.Lundstrom, Shinichi Tanaka
研究成果: Article › 査読
2
被引用数
(Scopus)