A p-channel AlGaAs/GaAs MIS-like heterostructure FET employing two-dimensional hole gas

K. Oe, M. Hirano, K. Arai, F. Yanagawa, K. Tsubaki

研究成果: Article査読

1 被引用数 (Scopus)

抄録

A p-channel AlGaAs/GaAs heterostructure FET which operates in MIS-transistor like mode has been investigated for implementation in a complementary logic circuit. Maximum values of transconductances of 100 mS/mm at 77 K and 50 mS/mm at 300 K have been achieved in a device with 1 microm gate length. The improvement at 77 K is attributed to an increased mobility of the two-dimensional hole gas which was confirmed by Shubnikov-de Haas oscillations at 4.2 K.

本文言語English
ページ(範囲)378-381
ページ数4
ジャーナルSurface Science
174
1-3
DOI
出版ステータスPublished - 1986 8月 3
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 凝縮系物理学
  • 表面および界面
  • 表面、皮膜および薄膜
  • 材料化学

フィンガープリント

「A p-channel AlGaAs/GaAs MIS-like heterostructure FET employing two-dimensional hole gas」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル