Change of characteristics of n-GaN MOS capacitors with Hf-rich HfSiOx gate dielectrics by post-deposition annealing

Erika Maeda, Toshihide Nabatame, Kazuya Yuge, Masafumi Hirose, Mari Inoue, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Koji Shiozaki, Hajime Kiyono

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フィンガープリント

「Change of characteristics of n-GaN MOS capacitors with Hf-rich HfSiOx gate dielectrics by post-deposition annealing」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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