| 本文言語 | English |
|---|---|
| ページ（範囲） | C-10-2 |
| ジャーナル | Default journal |
| 出版ステータス | Published - 1998 9月 1 |
Characteristics of GaN MESFET Grown on Sapphire Substrate by MOCVD
T. Egawa, K. Nakamura, H. Ishikawa, T. Jimbo, M. Umeno
研究成果: Article › 査読
T. Egawa, K. Nakamura, H. Ishikawa, T. Jimbo, M. Umeno
研究成果: Article › 査読
| 本文言語 | English |
|---|---|
| ページ（範囲） | C-10-2 |
| ジャーナル | Default journal |
| 出版ステータス | Published - 1998 9月 1 |