Effect of deep-acceptor density in buffer layer on breakdown voltage of AIGaN/GaN HEMTs with high-k passivation layer

S. Ueda, Y. Kawada, Kazushige Horio

研究成果: Conference contribution

フィンガープリント

「Effect of deep-acceptor density in buffer layer on breakdown voltage of AIGaN/GaN HEMTs with high-k passivation layer」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

Engineering & Materials Science

Chemical Compounds