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Effects of surface deep levels on breakdown characteristics of narrowly-recessed-gate GaAs MESFETs
Y. Mitani, A. Wakabayashi, K. Horio
電子情報システム学科
電気電子情報工学専攻
機能制御システム専攻
研究成果
:
Paper
›
査読
概要
フィンガープリント
フィンガープリント
「Effects of surface deep levels on breakdown characteristics of narrowly-recessed-gate GaAs MESFETs」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
並べ替え順
重み付け
アルファベット順
Engineering & Materials Science
Electric breakdown
78%
Surface states
100%