| 本文言語 | English |
|---|---|
| ページ（範囲） | 620-624 |
| ジャーナル | IEEE Trans．Electron Devices |
| 巻 | ED-33 |
| 出版ステータス | Published - 1986 5月 1 |
High-Transconductance p-Channel Modulation-Doped AlGaAs/GaAs Heterostructure FETs
Makoto Hirano
研究成果: Article › 査読
11
被引用数
(Scopus)