| 本文言語 | English |
|---|---|
| ページ（範囲） | A10-4 |
| ジャーナル | Default journal |
| 出版ステータス | Published - 2004 3月 1 |
Improved characteristics of GaN-based light emitting diode by distributed Bragg reflector grown on Si
H. Ishikawa, K. Asano, B. Zhang, T. Egawa, T. Jimbo
研究成果: Article › 査読
21
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(Scopus)