本文言語 | English |
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ページ(範囲) | Tu-58 |
ジャーナル | Default journal |
出版ステータス | Published - 2008 7月 1 |
MOCVD growth of c-axis oriented GaN on (110) Si substrates
H. Ishikawa, K. Shimanaka, K. Hiromori, N. Mori, T. Morimoto
研究成果: Article › 査読
18
被引用数
(Scopus)