本文言語 | English |
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ページ(範囲) | 1778-1785 |
ジャーナル | IEEE Trans.Electron Devices |
巻 | 35 |
出版ステータス | Published - 1988 11月 1 |
Numerical Simulation of GaAs MESFET’s on the Semi-insutating Substrate Compensated by Deep Traps
K.Horio K.Horio, H.Yanai H.Yanai, T.Ikoma T.Ikoma, Kazushige Horio
研究成果: Article › 査読
56
被引用数
(Scopus)