| 本文言語 | English |
|---|---|
| ジャーナル | International Conference on Microelectronics and Interfaces(ICMI '06) |
| 出版ステータス | Published - 2005 3月 1 |
Origin of Permittivity Enhancement of HfSiO and HfON Film with High Temperature Annealing
研究成果: Article › 査読
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| 本文言語 | English |
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| ジャーナル | International Conference on Microelectronics and Interfaces(ICMI '06) |
| 出版ステータス | Published - 2005 3月 1 |