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Photoluminescence and lasing characteristics of 1.3 μm GaInNAs/GaAsP/GaAs strain-compensated quantum wells
M. Kawaguchi, T. Miyamoto, S. Kawakami,
A. Saito
, F. Koyama
研究成果
:
Conference contribution
1
被引用数 (Scopus)
概要
フィンガープリント
フィンガープリント
「Photoluminescence and lasing characteristics of 1.3 μm GaInNAs/GaAsP/GaAs strain-compensated quantum wells」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
並べ替え順
重み付け
アルファベット順
Engineering & Materials Science
Photoluminescence
100%
Semiconductor quantum wells
96%
Metallorganic chemical vapor deposition
48%
Chemical Compounds
Photoluminescence
47%
Reduction
14%