| 本文言語 | English |
|---|---|
| ページ（範囲） | MoP2-55 |
| ジャーナル | Default journal |
| 出版ステータス | Published - 2006 10月 1 |
Realization of normally-off quaternary AlInGaN/GaN HEMT on sapphire substrate
Y. Liu, T. Egawa, H. Jiang, M. Hayashi, H. Ishikawa
研究成果: Article › 査読
Y. Liu, T. Egawa, H. Jiang, M. Hayashi, H. Ishikawa
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| 本文言語 | English |
|---|---|
| ページ（範囲） | MoP2-55 |
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| 出版ステータス | Published - 2006 10月 1 |