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Simulation of breakdown characteristics of AlGaN/GaN hemts with double passivation layers
K. Nakano, H. Hanawa, Kazushige Horio
電子情報システム学科
電気電子情報工学専攻
機能制御システム専攻
研究成果
:
Conference contribution
概要
フィンガープリント
フィンガープリント
「Simulation of breakdown characteristics of AlGaN/GaN hemts with double passivation layers」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
並べ替え順
重み付け
アルファベット順
Chemical Compounds
Chemical Passivation
83%
Simulation
52%
Breakdown Voltage
30%
Dielectric Material
18%
Electron Mobility
12%
Nonconductor
11%
Dielectric Constant
9%
Electric Field
9%
Voltage
7%
Engineering & Materials Science
Passivation
100%
Electric breakdown
23%
High electron mobility transistors
11%
Permittivity
10%
Electric fields
9%
Electric potential
5%