| 本文言語 | English |
|---|---|
| ページ（範囲） | 241-244 |
| ジャーナル | Proceedings of 1992 IEEE GaAs IC Symposium, Florida, USA |
| 出版ステータス | Published - 1992 10月 1 |
Simulations of Trapping Effects in GaAs MESFETs and Requirements for Substrates in GaAs MESFET-ICs
K. Horio, Y. Fuseya
研究成果: Article › 査読
64
被引用数
(Scopus)