| 本文言語 | English |
|---|---|
| ページ（範囲） | 2217-2222 |
| ジャーナル | IEEE Trans. on Electron Devices |
| 巻 | 36 |
| 出版ステータス | Published - 1989 10月 1 |
Submicron n+Ge Gate AlGaAs/GaAs MISFETs
Makoto Hirano
研究成果: Article › 査読
Makoto Hirano
研究成果: Article › 査読
| 本文言語 | English |
|---|---|
| ページ（範囲） | 2217-2222 |
| ジャーナル | IEEE Trans. on Electron Devices |
| 巻 | 36 |
| 出版ステータス | Published - 1989 10月 1 |