本文言語 | English |
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ページ(範囲) | 698-703 |
ジャーナル | IEEE Trans. Electron Devices |
巻 | 58 |
出版ステータス | Published - 2011 3月 1 |
Two-dimensional analysis of field-plate effects on surface state-related current transients and power slump in GaAs FETs
K. Horio, T. Tanaka, K. Itagaki, A. Nakajima
研究成果: Article › 査読
28
被引用数
(Scopus)