本文言語 | English |
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ページ(範囲) | 125-126 |
ジャーナル | Proceedings of SISPAD’96, Tokyo, Japan |
出版ステータス | Published - 1996 9月 1 |
Two-Dimensional Simulation of Surface-State Effects on Slow Current Transients in GaAs MESFETs
T.Yamada T.Yamada, K.Horio K.Horio, Kazushige Horio
研究成果: Article › 査読